6MS20017E43W37032 INFINEON TECHNOLOGIES IGBT MODULE

ID: ID117579
Disponibilité: Le produit est disponible sur demande
Délai de mise en œuvre: sur demande
Réf.: 6MS20017E43W37032NEW
  • État de l'appareil : neuf
  • Garantie : 24 MOIS
  • Coursier spécialisé : oui
new NEUF

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6MS20017E43W37032 Infineon Technologies

Infineon Technologies 6MS20017E43W37032 peuvent être trouvés dans la catégorie Modules IGBT C'est un transistor bipolaire avec une passerelle isolée. Un élément semi-conducteur de puissance utilisé dans les convertisseurs électroniques de puissance avec des puissances allant jusqu'à plusieurs centaines de kilowatts. Le module IGBT combine les avantages de deux types de transistors : contrôle aisé des transistors de champ et tension de rupture et vitesse de commutation élevées des transistors bipolaires. Le module IGBT est utilisé, entre autres, dans les onduleurs comme interrupteur, il permet de commuter des courants supérieurs à 1 kA et des tensions de blocage jusqu'à 6 kV. Nous proposons une nouvelle Module IGBT avec garantie et envoi express.
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Données techniques 6MS20017E43W37032 Infineon Technologies

Configuration
Tension max. collecteur-émetteur VCEO
Tension de saturation du collecteur-émetteur
Courant collecteur continu à 25°C
Fuite de l'objectif actuel
Pd - perte de puissance
Emballage
Température minimale de fonctionnement
Température maximale de fonctionnement
Catégorie Module IGBT
6MS20017E43W37032 Infineon Technologies

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  • Weight [kg] 19.0000
  • Modèle 6MS20017E43W37032
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