1MBI400V-120-50 FUJI ELECTRIC 480A 1.2KV IGBT MODULE

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1MBI400V-120-50 FUJI ELECTRIC

FUJI ELECTRIC 1MBI400V-120-50 puede encontrarse en la categoría módulo IGBT es un transistor bipolar con una entrada aislada. Elemento semiconductor de potencia utilizado en los convertidores de electrónica de potencia con potencias de hasta varios cientos de kilovatios. El módulo IGBT combina las ventajas de dos tipos de transistores: el fácil control de los transistores de campo y el alto voltaje de ruptura y velocidad de conmutación de los transistores bipolares. El módulo IGBT se utiliza, entre otras cosas, en los inversores como conmutador, permite la conmutación de corrientes superiores a 1 kA y el bloqueo de tensiones de hasta 6 kV.Ofrecemos un nuevomódulos IGBTcon garantía y envío expreso.
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Datos técnicos 1MBI400V-120-50 FUJI ELECTRIC

Polaridad del transistor Canal N
Corriente colectora DC 480A
Tensión de saturación del colector - emisor Vce(on) 1.2kV
Pérdidas de potencia de la Pd 2.4kW
Voltaje del colector - emisor V(br)ceo 1.2kV
Tipo de vivienda del transistor Module
Número de alfileres -
1MBI400V-120-50 FUJI ELECTRIC

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  • Modelo 1MBI400V-120-50
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