1MBI600V-120-50 FUJI ELECTRIC 720A 1.2KV IGBT MODULE
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1MBI600V12050NEW
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1MBI600V-120-50 FUJI ELECTRIC
FUJI ELECTRIC 1MBI600V-120-50 puede encontrarse en la categoría módulo IGBT es un transistor bipolar con una entrada aislada. Elemento semiconductor de potencia utilizado en los convertidores de electrónica de potencia con potencias de hasta varios cientos de kilovatios. El módulo IGBT combina las ventajas de dos tipos de transistores: el fácil control de los transistores de campo y el alto voltaje de ruptura y velocidad de conmutación de los transistores bipolares. El módulo IGBT se utiliza, entre otras cosas, en los inversores como conmutador, permite la conmutación de corrientes superiores a 1 kA y el bloqueo de tensiones de hasta 6 kV.Ofrecemos un nuevomódulos IGBTcon garantía y envío expreso.
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Datos técnicos 1MBI600V-120-50 FUJI ELECTRIC
| Polaridad del transistor | Canal N |
| Corriente colectora DC | 720A |
| Tensión de saturación del colector - emisor Vce(on) | 1.2kV |
| Pérdidas de potencia de la Pd | 3kW |
| Voltaje del colector - emisor V(br)ceo | - |
| Tipo de vivienda del transistor | Module |
| Número de alfileres | - |
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- Peso [kg] 19.0000
- Modelo 1MBI600V-120-50
