MWI200-06A8 IXYS 600V 115A IGBT MODULE

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MWI200-06A8 IXYS

IXYS MWI200-06A8 puede encontrarse en la categoría módulo IGBT es un transistor bipolar con una entrada aislada. Elemento semiconductor de potencia utilizado en los convertidores de electrónica de potencia con potencias de hasta varios cientos de kilovatios. El módulo IGBT combina las ventajas de dos tipos de transistores: el fácil control de los transistores de campo y el alto voltaje de ruptura y velocidad de conmutación de los transistores bipolares. El módulo IGBT se utiliza, entre otras cosas, en los inversores como conmutador, permite la conmutación de corrientes superiores a 1 kA y el bloqueo de tensiones de hasta 6 kV. Ofrecemos un nuevo módulos IGBT con garantía y envío expreso.
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Datos técnicos MWI200-06A8 IXYS

Tipo de módulo IGBT
Estructura del semiconductor transistor/transistor
topología puente IGBT trifásico
Voltaje inverso máximo 600V
Corriente colectora 115A
Caso E3-Pack
Aplicación motores
Instalación eléctrica Press-in PCB
Instalación atornillado
Voltaje de la puerta - emisor ±20V
Corriente colectora en pulso 400A
MWI200-06A8 IXYS

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  • Peso [kg] 19.0000
  • Modelo MWI200-06A8
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