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FF600R12ME4 INFINEON TECHNOLOGIES 1200 V 995 A IGBT MODULE
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FF600R12ME4 Infineon Technologies
Infineon Technologies FF600R12ME4 può essere trovato nella categoria Moduli IGBT E' un transistor bipolare con un gateway isolato. Un elemento a semiconduttore di potenza utilizzato nei convertitori elettronici di potenza con potenze fino a diverse centinaia di kilowatt. Il modulo IGBT combina i vantaggi di due tipi di transistor: il facile controllo dei transistor di campo e l'alta tensione di rottura e la velocità di commutazione dei transistor bipolari. Il modulo IGBT viene utilizzato, fra l'altro, negli inverter come interruttore, consente la commutazione di correnti superiori a 1 kA e tensioni di blocco fino a 6 kV. con garanzia e spedizione espressa.
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Dati tecnici FF600R12ME4 Infineon Technologies
| Configurazione | Dual |
| Tensione massima del collettore-emettitore VCEO | 1200 V |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore | 2.1 V |
| Corrente continua del collettore a 25°C | 995 A |
| Perdita di corrente di dispersione dell'emettitore di meta | 400 nA |
| Pd - perdita di potenza | 4050 W |
| Imballaggio/involucro | |
| Temperatura minima di esercizio | - 40 C |
| Temperatura massima di esercizio | + 150 C |
| Categoria | Modulo IGBT |
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- Modello FF600R12ME4
