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FS15R06VE3_B2 INFINEON TECHNOLOGIES 600 V 22 A IGBT MODULE
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FS15R06VE3B2NEW
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FS15R06VE3_B2 Infineon Technologies
Infineon Technologies FS15R06VE3_B2 può essere trovato nella categoria Moduli IGBT E' un transistor bipolare con un gateway isolato. Un elemento a semiconduttore di potenza utilizzato nei convertitori elettronici di potenza con potenze fino a diverse centinaia di kilowatt. Il modulo IGBT combina i vantaggi di due tipi di transistor: il facile controllo dei transistor di campo e l'alta tensione di rottura e la velocità di commutazione dei transistor bipolari. Il modulo IGBT viene utilizzato, fra l'altro, negli inverter come interruttore, consente la commutazione di correnti superiori a 1 kA e tensioni di blocco fino a 6 kV. Offriamo un nuovo Modulo IGBT con garanzia e spedizione espressa.
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Dati tecnici FS15R06VE3_B2 Infineon Technologies
| Configurazione | IGBT-Inverter |
| Tensione massima del collettore-emettitore VCEO | 600 V |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore | 1.55 V |
| Corrente continua del collettore a 25°C | 22 A |
| Perdita di corrente di dispersione dell'emettitore di meta | 400 nA |
| Pd - perdita di potenza | 65 W |
| Imballaggio/involucro | Module |
| Temperatura minima di esercizio | - 40 C |
| Temperatura massima di esercizio | + 150 C |
| Categoria | Modulo IGBT |
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- Modello FS15R06VE3_B2
