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MWI50-12A7T IXYS 1,2KV 60A IGBT MODULE
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MWI50-12A7T IXYS
IXYS MWI50-12A7T può essere trovato nella categoria Moduli IGBT E' un transistor bipolare con un gateway isolato. Un elemento a semiconduttore di potenza utilizzato nei convertitori elettronici di potenza con potenze fino a diverse centinaia di kilowatt. Il modulo IGBT combina i vantaggi di due tipi di transistor: il facile controllo dei transistor di campo e l'alta tensione di rottura e la velocità di commutazione dei transistor bipolari. Il modulo IGBT viene utilizzato, fra l'altro, negli inverter come interruttore, consente la commutazione di correnti superiori a 1 kA e tensioni di blocco fino a 6 kV. Offriamo un nuovo Modulo IGBT con garanzia e spedizione espressa.
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Dati tecnici MWI50-12A7T IXYS
| Tipo di modulo | IGBT |
| Struttura dei semiconduttori | transistor/transistor |
| Topologia | Ponte IGBT trifase, Termistore NTC |
| Tensione inversa max. | 1,2kV |
| Corrente del collettore | 60A |
| Caso | E2-Pack |
| Applicazione | motori |
| Installazione elettrica | Press-in PCB |
| Installazione | Avvitato |
| Tensione di gate - emettitore | ±20V |
| Corrente del collettore a impulsi | 100A |
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- Modello MWI50-12A7T
