VISHAY VS-GA200SA60UP può essere trovato nella categoria modulo IGBT è un transistor bipolare con un gateway isolato. Elemento a semiconduttore di potenza utilizzato nei convertitori di elettronica di potenza con potenze fino a diverse centinaia di kilowatt. Il modulo IGBT combina i vantaggi di due tipi di transistor: il facile controllo dei transistor di campo e l'alta tensione di rottura e la velocità di commutazione dei transistor bipolari. Il modulo IGBT viene utilizzato, fra l'altro, negli inverter come interruttore, consente la commutazione di correnti superiori a 1 kA e il blocco di tensioni fino a 6 kV.Offriamo un nuovomoduli IGBTcon garanzia e spedizione espressa.
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| Polarità dei transistor | Canale N |
| Corrente del collettore DC | 200A |
| Tensione di saturazione del collettore - emettitore Vce(on) | 1.92V |
| Perdite di potenza Pd | 500W |
| Tensione del collettore - emettitore V(br)ceo | 600V |
| Tipo di custodia del transistor | SOT-227 |
| Numero di perni | 4perni/s |

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