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IXGX55N120A3H1 IXYS IGBT MODULE
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ID118660
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IXGX55N120A3H1NEW
- Product condition: new
- Warranty: 24 MESES
- Dedicated courier: yes
IXGX55N120A3H1 IXYS
IXYS IXGX55N120A3H1 puede encontrarse en la categoría Módulos IGBT es un transistor bipolar con una entrada aislada. Un elemento semiconductor de potencia utilizado en los convertidores electrónicos de potencia con potencias de hasta varios cientos de kilovatios. El módulo IGBT combina las ventajas de dos tipos de transistores: el fácil control de los transistores de campo y el alto voltaje de ruptura y velocidad de conmutación de los transistores bipolares. El módulo IGBT se utiliza, entre otros, en inversores como conmutador, permite conmutar corrientes superiores a 1 kA y bloquear tensiones de hasta 6 kV. Ofrecemos un nuevo Módulos IGBT con garantía y envío urgente.
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Datos técnicos IXGX55N120A3H1 IXYS
| Configuración | |
| Voltaje máximo del colector-emisor VCEO | |
| El voltaje de saturación del colector-emisor | |
| Corriente colectora continua a 25°C | |
| Fuga de la corriente de meta-emisor | |
| Pd - pérdida de energía | |
| Embalaje/envase | TO-247-3 |
| Temperatura mínima de funcionamiento | |
| Temperatura máxima de funcionamiento | |
| Categoría | Módulo IGBT |
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- Peso [kg] 19.0000
- Modelo IXGX55N120A3H1
