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IXGX55N120A3H1 IXYS IGBT MODULE
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IXGX55N120A3H1NEW
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IXGX55N120A3H1 IXYS
IXYS IXGX55N120A3H1 può essere trovato nella categoria Moduli IGBT E' un transistor bipolare con un gateway isolato. Un elemento a semiconduttore di potenza utilizzato nei convertitori elettronici di potenza con potenze fino a diverse centinaia di kilowatt. Il modulo IGBT combina i vantaggi di due tipi di transistor: il facile controllo dei transistor di campo e l'alta tensione di rottura e la velocità di commutazione dei transistor bipolari. Il modulo IGBT viene utilizzato, fra l'altro, negli inverter come interruttore, consente la commutazione di correnti superiori a 1 kA e tensioni di blocco fino a 6 kV. Offriamo un nuovo Modulo IGBT con garanzia e spedizione espressa.
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Dati tecnici IXGX55N120A3H1 IXYS
| Configurazione | |
| Tensione massima del collettore-emettitore VCEO | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore | |
| Corrente continua del collettore a 25°C | |
| Perdita di corrente di dispersione dell'emettitore di meta | |
| Pd - perdita di potenza | |
| Imballaggio/involucro | TO-247-3 |
| Temperatura minima di esercizio | |
| Temperatura massima di esercizio | |
| Categoria | Modulo IGBT |
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- Weight [kg] 19.0000
- Modello IXGX55N120A3H1
