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MUBW75-12T8 IXYS 1,2KV 75A IGBT MODULE
Identificación:
ID118773
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MUBW7512T8NEW
- Product condition: new
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MUBW75-12T8 IXYS
IXYS MUBW75-12T8 puede encontrarse en la categoría módulo IGBT es un transistor bipolar con una entrada aislada. Elemento semiconductor de potencia utilizado en los convertidores de electrónica de potencia con potencias de hasta varios cientos de kilovatios. El módulo IGBT combina las ventajas de dos tipos de transistores: el fácil control de los transistores de campo y el alto voltaje de ruptura y velocidad de conmutación de los transistores bipolares. El módulo IGBT se utiliza, entre otras cosas, en los inversores como conmutador, permite la conmutación de corrientes superiores a 1 kA y el bloqueo de tensiones de hasta 6 kV. Ofrecemos un nuevo módulos IGBT con garantía y envío expreso.
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Datos técnicos MUBW75-12T8 IXYS
| Tipo de módulo | IGBT |
| Estructura del semiconductor | diodo/transistor |
| topología | buck chopper, puente IGBT trifásico, mostek 3-fazowy diodowy, termistor NTC |
| Voltaje inverso máximo | 1,2kV |
| Corriente colectora | 75A |
| Caso | E3-Pack |
| Aplicación | motores |
| Instalación eléctrica | Press-in PCB |
| Instalación | atornillado |
| Voltaje de la puerta - emisor | ±20V |
| Corriente colectora en pulso | 300A |
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- Peso [kg] 19.0000
- Modelo MUBW75-12T8
