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MUBW75-12T8 IXYS 1,2KV 75A IGBT MODULE
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ID118773
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MUBW7512T8NEW
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MUBW75-12T8 IXYS
IXYS MUBW75-12T8 finden Sie in der Kategorie IGBT-Modul ist ein bipolarer Transistor mit einem isolierten Gateway. Ein Leistungshalbleiterelement, das in leistungselektronischen Umrichtern mit Leistungen bis zu mehreren hundert Kilowatt verwendet wird. Das IGBT-Modul kombiniert die Vorteile zweier Transistortypen: einfache Steuerung von Feldtransistoren und hohe Durchbruchspannung und Schaltgeschwindigkeit von Bipolartransistoren. Das IGBT-Modul wird u.a. in Wechselrichtern als Schalter eingesetzt, ermöglicht das Schalten von Strömen über 1 kA und Sperrspannungen bis zu 6 kV. Wir bieten eine neue IGBT-Modul mit Garantie und Expressversand.
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Technische Daten MUBW75-12T8 IXYS
| Art des Moduls | IGBT |
| Halbleiter-Struktur | Diode/Transistor |
| Topologie | buck chopper, IGBT 3-Phasen-Brücke, 3-Phasen-Diodenbrücke, NTC-Thermistor |
| Rückwärtsspannung max. | 1,2kV |
| Kollektorstrom | 75A |
| Gehäuse | E3-Pack |
| Anwendung | Motoren |
| Elektrische Installation | Press-in PCB |
| Installation | anschrauben |
| Gate-Spannung - Emitter | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 300A |
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- Weight [kg] 19.0000
- Model MUBW75-12T8
