MUBW10-06A6K IXYS 600V 8A IGBT MODULE

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MUBW10-06A6K IXYS

IXYS MUBW10-06A6K può essere trovato nella categoria Moduli IGBT E' un transistor bipolare con un gateway isolato. Un elemento a semiconduttore di potenza utilizzato nei convertitori elettronici di potenza con potenze fino a diverse centinaia di kilowatt. Il modulo IGBT combina i vantaggi di due tipi di transistor: il facile controllo dei transistor di campo e l'alta tensione di rottura e la velocità di commutazione dei transistor bipolari. Il modulo IGBT viene utilizzato, fra l'altro, negli inverter come interruttore, consente la commutazione di correnti superiori a 1 kA e tensioni di blocco fino a 6 kV. Offriamo un nuovo Modulo IGBT con garanzia e spedizione espressa.
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Dati tecnici MUBW10-06A6K IXYS

Tipo di modulo IGBT
Struttura dei semiconduttori diodo/transistor
Topologia buck chopper, Ponte IGBT trifase, mostek 3-fazowy diodowy, Termistore NTC
Tensione inversa max. 600V
Corrente del collettore 8A
Caso E1-Pack
Applicazione motori
Installazione elettrica Press-in PCB
Installazione Avvitato
Tensione di gate - emettitore ±20V
Corrente del collettore a impulsi 18A
MUBW10-06A6K IXYS

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  • Modello MUBW10-06A6K
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