MUBW10-06A6K IXYS 600V 8A IGBT MODULE

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MUBW10-06A6K IXYS

IXYS MUBW10-06A6K finden Sie in der Kategorie IGBT-Modul ist ein bipolarer Transistor mit einem isolierten Gateway. Ein Leistungshalbleiterelement, das in leistungselektronischen Umrichtern mit Leistungen bis zu mehreren hundert Kilowatt verwendet wird. Das IGBT-Modul kombiniert die Vorteile zweier Transistortypen: einfache Steuerung von Feldtransistoren und hohe Durchbruchspannung und Schaltgeschwindigkeit von Bipolartransistoren. Das IGBT-Modul wird u.a. in Wechselrichtern als Schalter eingesetzt, ermöglicht das Schalten von Strömen über 1 kA und Sperrspannungen bis zu 6 kV. Wir bieten eine neue IGBT-Modul mit Garantie und Expressversand.
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Technische Daten MUBW10-06A6K IXYS

Art des Moduls IGBT
Halbleiter-Struktur Diode/Transistor
Topologie buck chopper, IGBT 3-Phasen-Brücke, 3-Phasen-Diodenbrücke, NTC-Thermistor
Rückwärtsspannung max. 600V
Kollektorstrom 8A
Gehäuse E1-Pack
Anwendung Motoren
Elektrische Installation Press-in PCB
Installation anschrauben
Gate-Spannung - Emitter ±20V
Kollektorstrom im Impuls 18A
MUBW10-06A6K IXYS

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  • Weight [kg] 19.0000
  • Model MUBW10-06A6K
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