STARPOWER GD200HFX170C2S znajdziemy w kategorii moduły IGBT to tranzystor bipolarny z izolowaną bramką. Element półprzewodnikowy mocy używany w przekształtnikach energoelektronicznych o mocach do kilkuset kilowatów. Moduł IGBT łączy zalety dwóch typów tranzystorów: łatwość sterowania tranzystorów polowych i wysokie napięcie przebicia oraz szybkość przełączania tranzystorów bipolarnych. Moduł IGBT jest wykorzystywany m.in. w falownikach jako łącznik, umożliwia załączanie prądów powyżej 1 kA i blokowanie napięć do 6 kV. Oferujemy nowy moduły IGBT z gwarancją oraz ekspresową wysyłką.
Zobacz więcej produktów z kategorii modułu IGBT
Biegunowość tranzystora | Podwójny kanał N |
Prąd kolektora DC | 337A |
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on) | 1.85V |
Straty mocy Pd | 1.271kW |
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo | 1.7kV |
Rodzaj obudowy tranzystora | Module |
Liczba pinów | 11piny/-ów |
Możesz być pewien urządzenia, które kupujesz.
Nasi konsultanci pomogą w wyborze właściwego urządzenia, doradzą w sprawie montażu oraz konserwacji. Jesteśmy cały czas do Twojej dyspozycji.
Każde nasze urządzenie jest wysyłane dedykowanym kurierem z zachowaniem wszelkich zasad bezpieczeństwa.