Infineon Technologies BSM75GAL120DN2 znajdziemy w kategorii moduły IGBT to tranzystor bipolarny z izolowaną bramką. Element półprzewodnikowy mocy używany w przekształtnikach energoelektronicznych o mocach do kilkuset kilowatów. Moduł IGBT łączy zalety dwóch typów tranzystorów: łatwość sterowania tranzystorów polowych i wysokie napięcie przebicia oraz szybkość przełączania tranzystorów bipolarnych. Moduł IGBT jest wykorzystywany m.in. w falownikach jako łącznik, umożliwia załączanie prądów powyżej 1 kA i blokowanie napięć do 6 kV. Oferujemy nowy moduł IGBT z gwarancją oraz ekspresową wysyłką.
Zobacz więcej produktów z kategorii moduły IGBT
| Konfiguracja | Half Bridge |
| Max. napięcie kolektor-emiter VCEO | 1200 V |
| Napięcie nasycenia kolektor-emiter | 2.5 V |
| Ciągły prąd kolektora przy 25°C | 105 A |
| Prąd upływowy bramka–emiter | 400 nA |
| Pd – strata mocy | 625 W |
| Opakowanie/obudowa | Half Bridge GAL 1 |
| Minimalna temperatura robocza | - 40 C |
| Maksymalna temperatura robocza | + 150 C |
| Kategoria | moduł IGBT |

Możesz być pewien urządzenia, które kupujesz.
Nasi konsultanci pomogą w wyborze właściwego urządzenia, doradzą w sprawie montażu oraz konserwacji. Jesteśmy cały czas do Twojej dyspozycji.
Każde nasze urządzenie jest wysyłane dedykowanym kurierem z zachowaniem wszelkich zasad bezpieczeństwa.