Infineon Technologies FS150R12KT4_B11 znajdziemy w kategorii moduły IGBT to tranzystor bipolarny z izolowaną bramką. Element półprzewodnikowy mocy używany w przekształtnikach energoelektronicznych o mocach do kilkuset kilowatów. Moduł IGBT łączy zalety dwóch typów tranzystorów: łatwość sterowania tranzystorów polowych i wysokie napięcie przebicia oraz szybkość przełączania tranzystorów bipolarnych. Moduł IGBT jest wykorzystywany m.in. w falownikach jako łącznik, umożliwia załączanie prądów powyżej 1 kA i blokowanie napięć do 6 kV. Oferujemy nowy moduł IGBT z gwarancją oraz ekspresową wysyłką.
Zobacz więcej produktów z kategorii moduły IGBT
Konfiguracja | Hex |
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO | 1200 V |
Napięcie nasycenia kolektor-emiter | |
Ciągły prąd kolektora przy 25°C | 150 A |
Prąd upływowy bramka–emiter | |
Pd – strata mocy | |
Opakowanie/obudowa | Econo 3 |
Minimalna temperatura robocza | - 40 C |
Maksymalna temperatura robocza | + 150 C |
Kategoria | moduł IGBT |
Możesz być pewien urządzenia, które kupujesz.
Nasi konsultanci pomogą w wyborze właściwego urządzenia, doradzą w sprawie montażu oraz konserwacji. Jesteśmy cały czas do Twojej dyspozycji.
Każde nasze urządzenie jest wysyłane dedykowanym kurierem z zachowaniem wszelkich zasad bezpieczeństwa.