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6MS16017P43W40383 INFINEON TECHNOLOGIES IGBT MODULE
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6MS16017P43W40383 Infineon Technologies
Infineon Technologies 6MS16017P43W40383 finden Sie in der Kategorie IGBT-Modul ist ein bipolarer Transistor mit einem isolierten Gateway. Ein Leistungshalbleiterelement, das in leistungselektronischen Umrichtern mit Leistungen bis zu mehreren hundert Kilowatt verwendet wird. Das IGBT-Modul kombiniert die Vorteile zweier Transistortypen: einfache Steuerung von Feldtransistoren und hohe Durchbruchspannung und Schaltgeschwindigkeit von Bipolartransistoren. Das IGBT-Modul wird u.a. in Wechselrichtern als Schalter eingesetzt, ermöglicht das Schalten von Strömen über 1 kA und Sperrspannungen bis zu 6 kV.Wir bieten eine neue IGBT-Modul mit Garantie und Expressversand.
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Technische Daten 6MS16017P43W40383 Infineon Technologies
| Konfiguration | |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO | |
| Sättigungsspannung des Kollektor-Emitters | |
| Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25°C | |
| Leckstrom-Tor-Emitter | |
| Pd - Leistungsverlust | |
| Verpackung/Verpackung | |
| Minimale Betriebstemperatur | |
| Maximale Betriebstemperatur | |
| Kategorie | IGBT-Modul |
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- Weight [kg] 19.0000
- Model 6MS16017P43W40383
