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FF600R12IE4 INFINEON TECHNOLOGIES 1200 V 600 A IGBT MODULE
ID:
ID118006
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FF600R12IE4NEW
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FF600R12IE4 Infineon Technologies
Infineon Technologies FF600R12IE4 finden Sie in der Kategorie IGBT-Modul ist ein bipolarer Transistor mit einem isolierten Gateway. Ein Leistungshalbleiterelement, das in leistungselektronischen Umrichtern mit Leistungen bis zu mehreren hundert Kilowatt verwendet wird. Das IGBT-Modul kombiniert die Vorteile zweier Transistortypen: einfache Steuerung von Feldtransistoren und hohe Durchbruchspannung und Schaltgeschwindigkeit von Bipolartransistoren. Das IGBT-Modul wird u.a. in Wechselrichtern als Schalter eingesetzt, ermöglicht das Schalten von Strömen über 1 kA und Sperrspannungen bis zu 6 kV.Wir bieten eine neue IGBT-Modul mit Garantie und Expressversand.
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Technische Daten FF600R12IE4 Infineon Technologies
| Konfiguration | Dual |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO | 1200 V |
| Sättigungsspannung des Kollektor-Emitters | |
| Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25°C | 600 A |
| Leckstrom-Tor-Emitter | |
| Pd - Leistungsverlust | |
| Verpackung/Verpackung | PRIME2 |
| Minimale Betriebstemperatur | - 40 C |
| Maximale Betriebstemperatur | + 150 C |
| Kategorie | IGBT-Modul |
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- Weight [kg] 19.0000
- Model FF600R12IE4
