STGIB20M60S-L STMICROELECTRONICS IGBT MODULE

ID: ID119723
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STGIB20M60S-L STMicroelectronics

STMicroelectronics STGIB20M60S-L finden Sie in der Kategorie IGBT-Modul ist ein bipolarer Transistor mit einem isolierten Gateway. Ein Leistungshalbleiterelement, das in leistungselektronischen Umrichtern mit Leistungen bis zu mehreren hundert Kilowatt verwendet wird. Das IGBT-Modul kombiniert die Vorteile zweier Transistortypen: einfache Steuerung von Feldtransistoren und hohe Durchbruchspannung und Schaltgeschwindigkeit von Bipolartransistoren. Das IGBT-Modul wird u.a. in Wechselrichtern als Schalter eingesetzt, ermöglicht das Schalten von Strömen über 1 kA und Sperrspannungen bis zu 6 kV.Wir bieten eine neue IGBT-Modul mit Garantie und Expressversand.
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Technische Daten STGIB20M60S-L STMicroelectronics

Konfiguration
Max. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
Sättigungsspannung des Kollektor-Emitters
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25°C
Leckstrom-Tor-Emitter
Pd - Leistungsverlust
Verpackung/Verpackung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Kategorie IGBT-Modul
STGIB20M60S-L STMicroelectronics

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  • Weight [kg] 19.0000
  • Model STGIB20M60S-L
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